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Kontrolleur IC Chip
Oberflächenberg IC 4.75V | 5.5V DS1312S-2+T&R IC Prüfer Nanovolt 8-SOIC
| Modell: | DS1312S-2+T&R |
|---|---|
| Controller-Typ: | Nichtflüchtiger RAM |
| Produkt-Status: | Aktiv |
Kristall-IC Ctrl Nanovolt 5V 20TSSOP permanenter RAM IC Oberflächenberg DS1321E+
| Modell: | DS1321E+ |
|---|---|
| Controller-Typ: | Nichtflüchtiger RAM |
| Produkt-Status: | Aktiv |
Chip EMMC 100-BGA SM662PXF BESS Pol Module Flash Memory IC
| Modell: | SM662PXF BESS |
|---|---|
| Technologie: | BLITZ - NAND (TLC) |
| Produkt-Status: | Aktiv |
AT28C256-15UM Pol Module EEPROM IC Flash-Speicher-Ähnlichkeit 150 Ns 28-CPGA
| Modell: | AT28C256-15UM/883-815 |
|---|---|
| Technologie: | EEPROM |
| Produkt-Status: | Aktiv |
AT28C256-20UM Pol Module 28-CPGA EEPROM Gedächtnis IC 256Kb entsprechen 200 Ns
| Modell: | AT28C256-20UM/883-815 |
|---|---|
| Technologie: | EEPROM |
| Produkt-Status: | Aktiv |
SM662PXF BFSS IC Nand Flash Gedächtnis EMMC 153-BGA TLC IC
| Modell: | SM662PXF BFSS |
|---|---|
| Technologie: | BLITZ - NAND (TLC) |
| Produkt-Status: | Aktiv |
AT28C256E-25UM Pol Module 256Kb EEPROM IC parallele 250 Ns 28-CPGA
| Modell: | AT28C256E-25UM/883-815 |
|---|---|
| Technologie: | EEPROM |
| Produkt-Status: | Aktiv |
FEMC512GBE-E530 NAND Memory IC 4Tb 200MHz nicht flüchtiges Gedächtnis IC
| Modell: | FEMC512GBE-E530 |
|---|---|
| Technologie: | BLITZ - NAND (TLC) |
| Produkt-Status: | Aktiv |
Flash-Speicher IC EMMC SM662PXF Pol Module BFST 153-BGA nicht flüchtig
| Modell: | SM662PXF BFST |
|---|---|
| Technologie: | BLITZ - NAND (TLC) |
| Produkt-Status: | Aktiv |
SM662GXF BFSS Nand Flash Memory IC TLC EMMC 100-BGA aktiv
| Modell: | SM662GXF BFSS |
|---|---|
| Technologie: | FLASH-NAND (SLC), FLASH-NAND (TLC) |
| Produkt-Status: | Aktiv |