- NXP und TSMC entwickeln gemeinsam eingebettetes MRAM IP in Technologie TSMCs 16 Nanometer FinFET
- Mit MRAM können sich Automobilhersteller neue Eigenschaften leistungsfähiger bereitstellen, über beschleunigen - Aktualisierungen der Luft (OTA) und Produktionsengpässe beseitigen
- Nächste Generation NXPS von zonenartigen Prozessoren S32 und universelles Automobil-MCUs werden festgelegt, das erste Anfang 2025 zu probierende Produkt zu sein
NXP kündigte heute seine Zusammenarbeit mit TSMC an, um das erste eingebettete AUTOMOBILMRAM der Industrie (magnetischen Direktzugriffsspeicher) 16 Nanometer FinFET in der Technologie zu liefern. Als Autoherstellerübergang zu Software-definierten Fahrzeugen (SDVs), müssen sie mehrfache Generationen von Software-Upgraden auf einer einzelnen Hardwareplattform stützen. Das Zusammenbringen leistungsstarker Automobilprozessoren S32 NXPS mit schnellem und in hohem Grade zuverlässigem zukünftigem Permanentspeicher 16 Nanometer FinFET in der Technologie stellt die ideale Hardwareplattform für diesen Übergang zur Verfügung.
MRAM kann 20MB des Codes in ~3 Sekunden aktualisieren, die mit Flash-Speichern verglichen werden, die ungefähr 1 Minute dauern, die Stillstandszeit herabsetzen, die mit Software-Aktualisierungen verbunden ist und Automobilherstellern, Engpässe zu beseitigen ermöglichen, die aus langer Modulprogrammierzeit sich ergeben. Außerdem stellt MRAM eine in hohem Grade zuverlässige Technologie für Automobileinsatzprofile vom Angebot von bis eine Million Aktualisierungszyklen, ein Niveau der Ausdauer zur Verfügung 10x, die als Blitz und andere auftauchende Zweikanalmagnetbandelemente größer ist.
SDVs ermöglichen Automobilherstellern, neue Komfort-, Sicherheits- und Hilfseigenschaften über die - Aktualisierungen der Luft (OTA) vorbei bereitzustellen, verlängern das Leben des Fahrzeugs und erhöhen seine Funktionalität, Berufung und Rentabilität. Da Software-ansässige Eigenschaften in den Fahrzeugen weiterverbreitet werden, erhöht sich die Frequenz von Aktualisierungen, und Geschwindigkeit und Robustheit MRAMS werden sogar wichtig.
TSMCs 16FinFET bettete MRAM-Technologie übersteigt die rigorosen Anforderungen von Automobilanwendungen mit seiner eine Million Zyklusausdauer, Unterstützung für Lötmittelrückflut und 20-jährigem Datenzurückhalten an 150°C. ein.