STMicroelectronics trimmt erster galvanisch lokalisierter Torfahrer für Transistoren des Galliumnitrids (GaN), das STGAP2GS, Maße und Rechnung-vonmaterialkosten in den Anwendungen, die überlegene Leistungsfähigkeit der großen Bandlücke mit robuster Sicherheit und elektrischem Schutz verlangen.
Der Einkanalfahrer kann an eine Hochspannungsschiene bis zu 1200V oder 1700V mit der STGAP2GSN-schmalkörperversion angeschlossen werden und liefert das Tor-Fahren von Spannung bis zu 15V. Fähig zum Sinken und zum Auftreten bis zum Strom des Tors 3A zum verbundenen GaN-Transistor, stellt der Fahrer hochstrukturierte zugeschaltete Übergänge bis zu den hohen Arbeitsfrequenzen sicher.
Mit minimaler Laufzeitverzögerung über der Trennwand, an gerade 45ns, stellt das STGAP2GS schnelle dynamische Resonanz sicher. Darüber hinaus vorübergehende Immunität dV/dt von ±100V/ns über dem vollen Temperaturspanneschutz gegen unerwünschte Transistortoränderung.
Das STGAP2GS ist mit unterschiedlichen Wannen- und Quellstiften für das einfache Abstimmen der Tor-treibenden Operation und der Leistung verfügbar.
Den Bedarf an den getrennten Komponenten sparend, optische Isolierung zur Verfügung zu stellen, erleichtert der STGAP2GS-Fahrer die Annahme leistungsfähiger und robuster GaN-Technologie im verschiedenen Verbraucher und in den industriellen Anwendungen. Diese schließen Stromversorgung in den Computerservern, Fabrikautomatisierungsausrüstung, Lokführer, Solar- und Windstromnetze, Haushaltsgeräte, inländische Fans und drahtlose Ladegeräte ein.
Zusätzlich zur Integrierung der galvanischen Isolierung, kennzeichnet der Fahrer auch eingebauten Systemschutz einschließlich thermische Abschaltung und Unterspannungsaussperrung (UVLO) optimierte für GaN-Technologie, um Zuverlässigkeit und Rauheit sicherzustellen.
Zwei Demonstrationsbretter, das EVSTGAP2GS und EVSTGAP2GSN, kombinieren das Standard-STGAP2GS und das schmale STGAP2GSN mit SGT120R65AL 75mΩ, Anreicherungstyp 650V GaN-Transistoren St., um Benutzern zu helfen, die Fähigkeiten der Fahrer auszuwerten.