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Schaltchips p-Kanal-IRF9540NPBF 100 V 23A (Tc) 140W (Tc) durch Loch TO-220AB

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xProdukt-Name | IRF9540NPBF | Vgs(th) (Max) ID | 4V 250µA |
---|---|---|---|
Gate-Ladung (Qg) (Max) Vgs | 97 nC 10 V | Vgs (max.) | ±20V |
Rds Ein (Max) Id, Vgs | 117mOhm 11A, 10V | Gerätepaket des Lieferanten | TO-220AB |
Markieren | P-Kanal IRF9540NPBF,IRF9540NPBF durch Loch,Schaltchips 100 V TO-220AB |
IRF9540NPBF-P-Kanal 100 V 23A (Tc) 140W (Tc) durch Loch TO-220AB
Fünfte Generation HEXFETS von Intemational Rectifieutilize brachte Verfahrenstechniken zum achieveextremely niedrigen Aufwiderstand pro Silikonbereich voran. Thisbenefit, kombiniert mit dem schnelle Schaltverzögerung andruggedized Gerätentwurf, den HEXFET PowerMOSFETS weithin bekannt sind für, stellt das designerwith ein extrem leistungsfähiges und zuverlässiges Gerät für usein ein weit vanety von Anwendungen zur Verfügung.
Das Paket TO-220 wird allgemeinhin für allcommercialindustrial Anwendungen an Energie dissipationlevels zu ungefähr 50 Watt bevorzugt. Das niedrige thermalresistance und niedrigen die Paketkosten des TO-220contribute zu seiner breiten Annahme während theindustry.
Spezifikation von IRF9540NPBF
Mfr
|
Infineon Technologies
|
Reihe
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HEXFET
|
Produkt-Status
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Aktiv
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Fet-Art
|
P-Kanal
|
Technologie
|
MOSFET (Metalloxid)
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Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss)
|
100 V
|
Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) 25°C
|
23A (Tc)
|
Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On)
|
10V
|
RDS auf (maximaler) Identifikation, Vgs
|
117mOhm 11A, 10V
|
Vgs (Th) (maximale) Identifikation
|
4V 250µA
|
Tor-Gebühr (Qg) (maximales) Vgs
|
97 nC 10 V
|
Vgs (maximal)
|
±20V
|
Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximales) Vds
|
1300 PF 25 V
|
Fet-Eigenschaft
|
-
|
Verlustleistung (maximal)
|
140W (Tc)
|
Betriebstemperatur
|
-55°C | 150°C (TJ)
|
Befestigung der Art
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Durch Loch
|
Lieferanten-Gerät-Paket
|
TO-220AB
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Paket/Fall
|
TO-220-3
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