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Asynchrones Gedächtnis IC 16Mbit ICs CY62167EV30LL-45BVXI integrierter Schaltung

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xModell | CY62167EV30LL-45BVXI | Technologie | SRAM - Asynchron |
---|---|---|---|
Speicherkapazität | 16Mbit | Spannung - Versorgung | 2.2V | 3.6V |
Markieren | CY62167EV30LL-45BVXI integrierte Schaltung IC,CY62167EV30LL-45BVXI Gedächtnis IC,Asynchrones Gedächtnis IC 16Mbit |
CY62167EV30LL-45BVXI asynchrones Gedächtnis IC 16Mbit parallele 45 Ns 48-VFBGA (6x8)
Das CY62167EV30 ist ein leistungsstarker CMOS statisches RAM, das als 1M Wörter durch 16 Bits oder 2M Wörter durch 8 Bits organisiert wird. Dieses Gerät kennzeichnet einen modernen Schaltplan, der einen ultra niedrigen Wirkstrom liefert. Ultra niedriger Wirkstrom ist für die Lieferung mehr Batteriedauer (MoBL®) in den tragbaren Anwendungen wie Mobiltelefonen ideal. Das Gerät hat auch eine automatische Energie hinunter Eigenschaft, die Leistungsaufnahme um 99 Prozent verringert, wenn Adressen nicht umschalten. Legen Sie das Gerät in Bereitschaftsbetriebsart, wenn Sie abgewählt werden (HOCH CE1 oder TIEF CE2 oder BHE und BLE sind HOCH). Die Input- und Ertragstifte (I/O0 bis I/O15) werden in einen hochohmigen Zustand gelegt, wann: das Gerät wird (HOCH CE1 oder CE2 NIEDRIG) abgewählt, Ertrag sind behindert (OE-HOCH), Byte-Hoch ermöglichen und Byte niedriges Enable sind (BHE-, BLE-HOCH) behindert, oder a schreiben Operation ist im Gang (TIEF CE1, HOCH CE2 und WIR NIEDRIG).
Kategorie
|
Integrierte Schaltungen (IC)
Gedächtnis
Gedächtnis
|
Mfr
|
Infineon Technologies
|
Reihe
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MoBL®
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Produkt-Status
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Aktiv
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Gedächtnis-Art
|
Flüchtig
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Gedächtnis-Format
|
SRAM
|
Technologie
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SRAM - Asynchron
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Speicherkapazität
|
16Mbit
|
Speicherorganisation
|
2M x 8, 1M x 16
|
Gedächtnis-Schnittstelle
|
Parallel
|
Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite
|
45ns
|
Zugriffzeit
|
45 ns
|
Spannung - Versorgung
|
2.2V | 3.6V
|
Betriebstemperatur
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-40°C | 85°C (TA)
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Befestigung der Art
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Oberflächenberg
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Paket/Fall
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48-VFBGA
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Lieferanten-Gerät-Paket
|
48-VFBGA (6x8)
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