DMP6050SFG-13 Berg PowerDI3333-8 des P-Kanal-60 V 4.8A (Ta) der Oberflächen-1.1W (Ta)

Herkunftsort USA
Markenname Diodes Incorporated
Zertifizierung RoHS
Modellnummer DMP6050SFG-13
Min Bestellmenge 3000
Preis negotiations
Verpackung Informationen Bandspule (TR)
Lieferzeit 5-8 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 6000

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Produktdetails
Modell DMP6050SFG-13 Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 4,8 A (TA)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) 4,5 V, 10 V Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 50 mOhm bei 5 A, 10 V
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Produkt-Beschreibung

DMP6050SFG-13 Berg PowerDI3333-8 des P-Kanal-60 V 4.8A (Ta) der Oberflächen-1.1W (Ta)

Beschreibung und Anwendungen

Dieser MOSFET ist entworfen worden, um den Durchlasswiderstand (RDS (AN)) herabzusetzen und doch die überlegene zugeschaltete Leistung, ihn ideal machend beibehalten für Energiemanagementanwendungen der hohen Leistungsfähigkeit.

 Backlighting

 treiben Management-Funktionen an

 DC-DC Konverter

 

Eigenschaften und Nutzen

 niedriges RDS (AN) – stellt auf Zustands-Verlusten werden herabgesetzt sicher

, das kleine Form thermisch Faktor bei leistungsfähigem Paket darstellen, ermöglicht Endprodukten miteren hoher Dichte

 besetzt gerade 33% des Brett-Bereichs, der durch SO-8 besetzt wird, kleinerem Endprodukt ermöglichend

 total bleifrei u. völlig RoHS konform

 Halogen und Antimon frei. „Grünes“ Gerät

 

Mechanische Daten

 Fall: POWERDI® 3333-8

 Fall-Material: Geformter Plastik, „grünes“ Gestaltungsmittel. UL-Entflammbarkeits-Klassifikation, die 94V-0 veranschlagt

 Feuchtigkeits-Empfindlichkeit: Gerade 1 pro J-STD-020

 Terminalverbindungs-Indikator: Sehen Sie Diagramm

 Anschlüsse: Ende

 Matte Tin Annealed über kupfernem Leadframe. Solderable pro MIL-STD-202, Methode 208

 Gewicht: 0,072 Gramm (ungefähr)

DMP6050SFG-13 Berg PowerDI3333-8 des P-Kanal-60 V 4.8A (Ta) der Oberflächen-1.1W (Ta) 0

 

Spezifikation von DMP6050SFG-13

Kategorie
Getrennte Halbleiter-Produkte
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Mfr
Dioden enthalten
Reihe
-
Fet-Art
P-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss)
60 V
Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C
4.8A (Ta)
Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs
50mOhm @ 5A, 10V
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation
3V @ 250µA
Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (maximal)
±20V
Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds
1293 PF @ 30 V
Fet-Eigenschaft
-
Verlustleistung (maximal)
1.1W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C | 150°C (TJ)
Befestigung der Art
Oberflächenberg
Lieferanten-Gerät-Paket
PowerDI3333-8
Paket/Fall
8-PowerVDFN

 

VORLAGE

 

Unsere Firma garantiert, dass jede Reihe von Produkten von der ursprünglichen Fabrik kommt, und kann ursprüngliche Aufkleber und Berufsprüfungsagenturberichte zur Verfügung stellen.

 

PREIS

 

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